国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种玻璃基板微蚀速率片及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121823975A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种玻璃基板微蚀速率片及其制备方法和应用，其中制作方法包括：对玻璃基板进行预处理，在预处理后的玻璃基板表面沉积形成多个金属层区域；测量各区域金属层的实际沉积厚度，与对应的预设沉积厚度进行对比验证，获取验证合格的玻璃基板微蚀速率片。应用玻璃基板微蚀速率片的测试方法包括将玻璃基板微蚀速率片置于微蚀线体中进行微蚀；微蚀完成后，确定所述玻璃基板微蚀速率片上被完全蚀刻的金属层区域，将被完全蚀刻的金属层区域所对应的预设沉积厚度中的最大值，确定为微蚀线体的实际微蚀量；基于所述实际微蚀量确定该微蚀线体的微蚀速率。本发明能快速、精准地判定蚀刻量，实现高效、经济、环保的微蚀速率测试。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可74个。
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